此外，在安全領域，我們預計電子ID證件的增長將繼續(xù)，比如電子護照，帶芯片的身份證件等。

    我們也認為，越來越多的證件，如駕照以及社會保障卡等，都將內(nèi)置安全芯片。

    對中國系統(tǒng)制造商而言，2011年將面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)是如何保證高復雜系統(tǒng)的可靠性和實現(xiàn)更高的能效。特別在汽車領域，安全和質(zhì)量是嚴酷的考驗，尤其是在新的應用領域，如何能在嚴酷的條件下保證在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽車本身所帶來的大范圍溫度變化(從零下四十度到零上一百五十度)，由路面顛簸所帶來的強烈機械震動，復雜混亂的電子干擾等等。在汽車動力引擎方面，由于汽車系統(tǒng)復雜度越來越高，對于功率驅(qū)動和主控芯片都提出更高要求。我們會堅持質(zhì)量第一的信念，把最可靠的器件和系統(tǒng)帶到中國。

    工業(yè)領域的產(chǎn)品應用也十分廣泛，從10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，簡單控制到復雜控制，如4瓦LED燈泡到6500千伏牽引系統(tǒng)。要為這么廣泛的應用提供高能源效率解決方案，需要一個廣泛的產(chǎn)品組合，以為各項應用提供性價比最佳的產(chǎn)品，同時必須掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模塊等多種技術(shù)。

    目前在汽車、工業(yè)和芯片卡市場，英飛凌是排名第一的龍頭企業(yè)。我們完善的產(chǎn)品線可以為能源效率、移動性和安全性市場的快速發(fā)展提供極大的推動作用。

    為了應對上述汽車電子系統(tǒng)的挑戰(zhàn)，英飛凌開發(fā)了汽車級的IGBT模塊。這些汽車專用的IGBT模塊充分考慮了以上的技術(shù)挑戰(zhàn)，在設計和生產(chǎn)時作出了充足的保護安排，在認證和測試時也進行了全面的考慮，比如，抗震動能力，我們對汽車級模塊會以五倍重力加速度三十小時來做考驗，而工業(yè)級器件一般僅做兩倍重力加速度兩小時的測試；還有溫度沖擊測試，即在零下四十度到零上一百五十度之間做快速的循環(huán)變化，汽車級我們會做一千次，而工業(yè)級僅做五十次，這個指標反映器件未來的壽命。除器件之外，為更好地幫助大家的開發(fā)，我們在國內(nèi)也推出相關的參考設計，相信這些參考設計能幫助大家縮短開發(fā)周期。

    在功率電子領域，主要的驅(qū)動力是提高能效和功率密度，比如降低導通電阻和開關損耗。在高壓市場版塊，我們在碳化硅技術(shù)方面的發(fā)展十分先進，已經(jīng)進行了多年的量產(chǎn)。英飛凌的JFET和MOSFET也處于產(chǎn)品開發(fā)階段，第一種類型將在接下來兩三年入市。而在低壓領域，我們正在開發(fā)GaN類型的產(chǎn)品，以降低開關成本。

    封裝技術(shù)也是我們實現(xiàn)差異化的一個重要方面。依靠.XT這種新的IGBT模塊連接技術(shù)，我們進行了一系列創(chuàng)新。比如芯片前端和后端的壓焊連接加強，及在流程中利用擴散錫焊的方法等。.XT技術(shù)將IGBT模塊的使用壽命提高10%，這對于如商用車以及風能發(fā)電站等強大應用來說尤其重要。